检测布景:

晶圆作为半导体器件的主题基材,其表表平坦杜纂缺点节造直接决定芯片的良率与机能。微粒、划痕、凹坑等微观缺点(尺寸多在纳米至微米级),仅通过2D光学观测难以精准判断其对器件的风险水平。
检测规划:bc.game有限公司官网白光过问概括仪

白光过问仪凭借非接触式3D概括丈量技术,可将这些隐形或微幼缺点转化为精准的3D量化数据(蕴含缺点体积、深度/高度、截面概括等),为工程师追忆缺点起源、评估机能影响、优化造作工艺提供主题凭据。

光过问仪的量化能力源于其怪异的过问成像机造:设备发射的白光经分光镜分为两束,一束照射晶圆表表(丈量光),另一束照射尺度参考平面(参考光);两束光反射后沉新叠加形成过问条纹,条纹的明暗变动与相位差直接关联晶圆表表与参考平面的高度差。
通过沿Z轴逐点扫描晶圆表表,采集分歧地位的过问信号,再经算法沉构,即可天生覆盖检测区域的3D拓扑图,将正本抽象的表表缺点转化为可量化的三维数据。相较于传统2D检测仅能获取缺点的平面尺寸,白光过问仪的3D量化可齐全出现缺点的空间状态,这是判断缺点风险水平的关键。
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